Enhanced performance of gate-first p-channel metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with polycrystalline silicon/TiN/HfSiON stacks fabricated by physical vapor deposition based in situ method
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概要
キヤノンアネルバ | 論文
- CoFeB/MgO/CoFeBトンネル接合を用いた超低抵抗TMR素子の開発
- MgO障壁層を用いたトンネル磁気抵抗素子の開発
- 超高/極高真空装置のための真空材料の新展開--超低ガス放出チタン材料製真空装置の開発
- NiCr(NiFeCr)/Pd二層シード層を使用した垂直磁気記録媒体の特性向上及びRu膜の薄膜化
- 金属スピントロニクス素子の新しい展開--スピントルクダイオード