1st International Symposium on Fluorous Technologies(ISoFT 05)参加報告
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概要
論文 | ランダム
- Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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- シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
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