4H-SiC高耐圧横型MOSFET (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (ハイパワーデバイス)
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概要
論文 | ランダム
- 2値展開された一般化リードソロモン符号の見逃し誤り確率の上界及び下界について(符号理論)
- 非線形差分方程式を用いた畳込み符号の重み分布の解析
- 大システム極限での厳密なDS-CDMAマルチステージ検出器の性能評価
- 非飽和状態におけるIEEE 802.11DCFの消費電力に関する解析(地上無線通信)
- 統計神経力学と母関数法によるCDMAマルチユーザー復調の理論(情報物理学の数学的構造)