粒界空乏層変調モデルによる外結晶シリコン薄膜トランジスタの動作シュミレ-ション
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 23aXF-14 多層カーボンナノチューブにおける十字路伝導
- 粒界空乏層変調モデルによる外結晶シリコン薄膜トランジスタの動作シュミレ-ション
- 27p-X-1 Weak Localisation in Ballistic Quantum Dots: Non Ensemble Averaged Effects
- 原子層成長による原子層フラクタル超格子の作製と評価
- 25pK-3 ドットアレイにおける強磁場共鳴ピーク
- 3a-X-1 p型変調ドープ量子細線の磁気光学効果II
- 29a-Z-3 p型変調ドープ量子細線の磁気光学効果
- MOS集積回路用セルレイアウトの最適化手法
- 25pD-5 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍発光スペクトルIII
- 30p-ZE-7 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍発光スペクトルII
- 28p-YP-2 アモルファス中ナノ微結晶シリコンの紫外反射スペクトル
- 27p-YN-6 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍発光スペクトル
- 31a-YG-3 実時間実空間高次差分法によるシリコンナノ結晶の電子状態計算III
- 31a-YG-2 オーダーN・量子ダイナミクス法による微結晶の誘電関数の計算
- 29a-WD-5 実時間実空間差分法シュレーディンガー方程式による線形応答関数の数値計算
- 単一量子ドット中の伝導度ゆらぎ
- 反応性イオンエッチングプラズマ中のイオン質量分析
- 7a-N-1 量子ドットにおけるコンダクタンスの非周期ゆらぎ
- 7a-N-1 量子ドットにおけるコンダクタンスの非周期ゆらぎ
- 29a-R-8 量子細線の磁気抵抗 : 凹凸構造における電子散乱機構
- 29a-R-8 量子細線の磁気抵抗 : 凹凸構造における電子散乱機構
- 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗(II)
- 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗(II)
- 単一量子ドット中の伝導度ゆらぎ
- 1a-E-11 量子ドット列の負の磁気抵抗
- 31a-YA-4 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗
- 7p-J-11 オーダーN・時間依存密度汎関数法による微結晶の誘電関数の計算
- 7p-J-10 実時間実空間高次差分法によるシリコンナノ結晶の電子状態計算II
- 28a-YE-1 実時間実空間高次差分法によるシリコンナノ結晶の電子状態計算
- 24pSA-1 ドットアレイにおけるキャリアー濃度のゲート依存性
- 23pL-4 ドットアレイにおける古典・量子伝導現象の競合
- 27aD-6 微小超伝導リングにおけるLittle-Parks振動の振幅減少
- 25aD-11 ドットアレイにおける金属-絶縁体移転
- 31a-ZB-5 連結型結合ドットの基礎物性
- 30p-A-3 微小超伝導リングの磁束量子化II
- 29a-ZB-1 コルゲーション型量子細線における磁気フォーカシング
- 31a-ZB-5 連続型結合ドットの基礎物性
- 29a-ZB-1 コルゲーション型量子細線における磁気フォーカシング
- 25p-YG-3 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性II
- 28p-YG-7 微小超伝導リングの磁束量子化
- 28p-YG-6 微小超伝導ディスクへの渦糸侵入
- 27p-YG-4 超伝導SETを流れる超伝導電流のトンネル抵抗依存性
- 25p-YG-3 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性II
- 31p-X-5 超伝導SETアイランドにおけるフラクソイドの振舞い
- 31a-Q-13 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性
- 31a-Q-13 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性
- 7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
- 7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
- 壁面構造のあるスプリッドゲート型量子細線の電気伝導
- 1a-E-6 量子ドットの位相緩和時間と逃避時間
- トランジスタの発明と発展に学ぶ
- 微小重力下でのシリコンの融液成長(無重力下における結晶成長)
- 複合構造を用いた相補型Bi CMOS回路
- 光励起電子放出によるSiO2中の深い捕獲中心準位の測定
- SiO2中の捕獲中心の測定
- ディジタル化電子なだれ注入装置の試作とSiO2中の捕獲中心面密度分布の新しい算出法 (LSI特集) -- (微細化デバイス)
- 縮小CMOS,nMOSインバ-タのシミュレ-ションによる性能評価 (LSI特集) -- (微細化デバイス)
- SiF4ガスを用いたリアクティブ・イオン・エッチング
- ビ-ム・リソグラフィにより導入されるSiO2中の中性トラップ
- ディジタル化自動DLTS測定装置の試作
- 27a-X-7 壁面構造のあるスプリットゲート型量子細線の電気伝導
- 31a-N-2 量子細線の伝導度ゆらぎにおける普遍性のやぶれ
- 半導体量子ドットの磁気光学効果 : InP量子ドットの場合
- デバイス動作の理論限界
- 新原理探索に向けて
- Phase Breaking in Ballistie Quantum Dots:A Correlation Field Analysis
- Weak Locallisation in Ballistle Quantum Dots(Non Ensemble Averaged Effects)
- 5p-N-8 中間電極が超伝導リングからなるSETトランジスタの電気伝導II
- 5a-E-4 量子ドット正方格子の発光分光
- 31a-N-1 スプリットゲート型量子細線の線幅決定
- 学問創成の府としての大学 (法政大学イオンビーム工学研究所創立25周年記念特集) -- (創立25周年記念講演録)
- バリスティックな量子ドットにおける伝導率ゆらぎの磁場・温度依存性
- 超伝導2重微小トンネル接合における電気伝導
- 27p-X-2 Phase Breaking in Ballistic Quantum Dots: A Correlation Field Analysis
- 31p-N-2 The Spectral Characteristics of Conductance Fluctuations in Ballistic Quantum Dots