微分変調法を用いた赤外波長可変半導体レ-ザの発振波長の制御
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 4a-AE-7 電子線照射したZnSの赤外発光と光吸収
- 27p-E-1 ZnSの近赤外発光の過渡特性
- THMによるZnTe, CdTe結晶成長における溶液の攪拌効果 : II-VI化合物半導体
- 28a-RC-11 ZnSのF^+発光の過渡特性
- Necked Ampouleを使用したZnSe単結晶の育成
- 14p-L-1 中性子照射したZnSeの光吸収帯
- 1p-T-11 熱処理したZnSeの光吸収帯
- 2p-NJ-11 ZnSeの発光帯
- 2a-W-10 ZnSのF^+ 吸収帯の光退色
- 31a-G-13 ZnSeの中性子照射効果
- 30p-J-11 ZnSe: Znの近赤外発光
- 31p GB-1 モーメント法によるZnSのF^+中心の光吸収帯の解析
- 31a GH-2 化学輸送法によるZmSの中性子照射効果
- 色中心による吸収帯の総和則
- 31p-BB-5 着色したZnSの光電導スペクトルの測定
- 31p-BB-4 ZnSのF^+中心のアニールと赤外発光
- 9p-P-13 ZnSのF^+中心のanneal
- 5p-M-14 ZnSのF^+発光
- 5p-M-13 ZnSの2.3eV吸収帯のannealingとbleaching
- 分光と電気化学実験のための計測・制御装置
- 27aC10 電気化学堆積法によるZnSe膜成長 : サイクリックボルタモグラムによる研究(気相成長II)
- 27aC9 立方晶ZnS結晶成長とその光学的測定(気相成長II)
- MOCVDによるZnSe/GaAs(100)の表面欠陥の構造 : 気相成長IV
- ヨウ素輸送法によるZnS結晶成長 : 気相成長I
- 5p-M-12 中性子線照射したCdSの発光
- 6a-Q-6 中性子線照射したCdSの光学的性質
- 測色による原綿中の着色繊維の検出-2-
- 回転-磁場付加THMより成長したZnTe結晶のフォトルミネッセンスによる評価
- 電気化学堆積法によるZnSe膜の成長と青色発光ダイオードの作製 : 気相成長III
- CdTe単結晶成長のための電気炉と温度制御装置 (鳥取大学工学部創立十周年記念号)
- 6a-KM-5 室温で安定なII-VI化合物の真性欠陥
- 23p-L-3 ZnSの熱処理効果と中性子照射効果
- 微分変調法を用いた赤外波長可変半導体レ-ザの発振波長の制御
- 5p-M-9 Zn処理及び中性子線照射したZnSの赤外発光とその励起スペクトル
- 6p-E-3 ZnSの格子欠陥 I
- 気相法によるZnSeバルク単結晶成長とその物性 : 気相成長・薄膜II
- 5p-M-8 中性子線照射したZnSの光吸収帯と光電導スペクトル
- 2p-N-2 ZnSにおける付加着色と光電導
- 結晶成長炉の温度制御装置の試作
- パーソナルコンピュータによる分光計測・制御装置
- 測色による原綿中の着色繊維の検出
- DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)測定装置の試作
- A 5 ns-64 Channel Photon Counter
- トランジェントメモリ-の試作
- 6a-Q-7 ZnSのESRと光吸収の相関々係
- Transient Phenomena of Luminescence in ZnS:Zn Crystals
- デジタル電圧計を用いたデ-タ収録装置 (鳥取大学工学部創立十周年記念号)
- 23p-L-2 CdSの熱処理効果と電子線照射効果
- 10p-U-1 硫化カドミウム単結晶の熱処理効果と放射線損傷
- 3a-N-12 ZnSの格子欠陥 II
- A circuit for extension of an interrupt input of personal computers.