中赤外レ-ザ用Pb1-x(Ca1-ySry)xS系新固溶半導体の固溶領域と格子定数
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 化学輸送法によるII-VIおよびI-III-VI_2族化合物半導体の結晶成長(1) : 輸送実験
- Hot Wall法によるPb S薄膜の作成とその評価 : 気相成長
- 28p-A-16 光励起ZnSeにおける正孔のサイクロトロン共鳴
- 10a-E-1 MnSi_近傍の組成をもつ化合物の結晶構造
- 10p-G-4 MnSi_近傍の結晶育成と熱電特性
- 5a-KG-15 CuCr_2Se_4単結晶の磁性
- 中赤外レ-ザ用Pb1-x(Ca1-ySry)xS系新固溶半導体の固溶領域と格子定数
- 中赤外レ-ザ用Pb1-xCaxS1-ySey系新固溶半導体の固溶領域と格子定数
- 陰イオン交換法による銅の高純度精製
- MEE法によるCuAlSe_2薄膜のエピタキシャル成長 : エピタキシーII
- Hgリザーバを用いたTH法によるHg_CdxTeの結晶成長
- CdTeを素材としたTH法によるHg_Cdx Teの結晶成長 : 溶液成長
- ハロゲンを添加したCdTeのTe過剰溶液からの単結晶成長とフォト・ルミネッセンス : 溶液成長
- 3元素固溶半導体(Pb_Cdx)S_の組成xと科学量論的組成からの偏差yの同時制御 : 気相成長
- 3元系固溶半導体(Pb1-xCdx)S1-yの組成xと化学量論的組成からの偏差yの同時制御
- 2-6族3元固溶体の組成およびストイキオメトリ-同時制御
- 2a-R-11 欠陥スピネル型化合物Fe_Cr_S_4 の磁性と電気的性質
- 3a-AG-10 陽イオン空孔をもつカルコゲナイドスピネルの磁性と結晶構造II
- 10a-D-6 陽イオン空孔をもつカルコゲナイドスピネルの磁性と結晶構造
- 5a-X-4 CuCr_2Se_4単結晶の磁性II
- 中赤外レーザ基板用ファセット形成高品位PbS単結晶の作製と評価