伝導性高分子結晶(SN)xの分光測定

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• アグネ技術センタ-の論文

著者

• 三谷 忠興

  東大・工

関連論文

• 6a-AE-4 (SN)_x薄膜のSOR分光スペクトル
• 2a GC-14 (SN)_x, (SNBr_y)_xの近赤外から紫外スペクトル
• 6a-AE-5 (SN)_x蒸着膜の性質
• 31p-CK-13 (SN)_x 結晶の光学的性質
• 10a-S-2 (SN)_x単結晶の温度変調反射スペクトル
• 3a-G-6 Polydiacetylene励起子の温度変調分光[II]
• 30p-Q-8 polydiacetylene励起子の温度変調分光
• 30p-Q-7 polydiacetyleneのπ電子バンドと励起子
• 30p-Q-6 準一元物質のSDR分光
• 30p-Q-4 延伸(CH)_xの光学的性質
• 30a-Q-6-1 (CH)_xのXPSおよびUV吸収スペクトル
• 30p-M-4 磁性半導体EuX混晶系の磁気的・光学的性貭
• 伝導性高分子結晶(SN)xの分光測定
• 2p-N-3 polydiacetylene PTS の SOR 分光 : 異方性と高分子化の影響
• 2p-N-2 一次元半導体 (CH)_x の光学的性質 II
• 2a-N-9 (SN)_x,(SNBr_a4)_x 単結晶の SOR 分光
• 4p-Z-7 Eu_xSr_S 単結晶の反射スペクトル
• 2p GC-5 一次元半導体 (CH)_xの光学的性質
• 2p GC-2 エネルギーバンド構造における問題点
• 3p GB-5 EuS-EuSe混晶系の磁気整列とルミネッセンス
• 3p GB-4 (Eu, Sr)Sのルミネッセンス III
• 5p-AE-7 アンスラセン結晶のバイブロニック励起子スペクトル
• 真空紫外分光技術 (シンクロトロン放射光による分光技術(技術ノ-ト))
• 5a-DR-17 EuS・EuSe混晶系のルミネッセンス
• 9p-Q-5 ユーロピウムカルコゲン化合物における磁気励起子
• 7p-G-4 磁性半導体CdCv_2X_4の変調分光
• 7p-J-4 磁性半導体CdCv_2X_4の温度変調反射スペクトルと磁気円偏光二色性
• 5a-DR-16 (Eu,Sr)S混晶系のルミネッセンス II
• 1p-BG-2 (Eu,Sr)S混昌系のルミネッセンス
• 7a-G-2 磁性半導体の励起子と磁気相転移
• 7a-G-2 磁性半導体の励起子と磁気相転移
• 7p-J-5 EuSe磁性半導体における励起子の挙動
• Euカルコゲナイド磁性半導体の変調分光
• 磁性半導体のワニヤ励起子 : 変調分光法の効用
• 5a-Q-6 ユーロピウムカルコゲナイドの変調分光;磁場変調
• 12p-Z-2 Euカルコゲン磁性半導体の温度変調反射スペクトル(II):ワニア励起子の挙動
• 12p-Z-1 Euカルコゲン磁性半導体の温度変調反射スペクトル(I):一般的特徴
• 5p-KD-2 磁性半導体の温度変調反射スペクトル(EuX;X=O,S,Se)(II)
• 5p-KD-1 磁性半導体の温度変調反射スペクトル(EuX;X=O,S,Se)(I)
• 23a-M-16 温度変調法による磁性化合物の光学スペクトルの測定 : EuX;X=O,S,Seの例
• 6a-B-11 CuCl中のiselectronic不純物による発光

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク