30p-Q-4 延伸(CH)_xの光学的性質

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1980-03-12

著者

• 国府田 隆夫

  東大・工

• 三谷 忠興

  東大・工

• 小山 邦明

  東大・工

関連論文

• 6a-AE-4 (SN)_x薄膜のSOR分光スペクトル
• 22a-H-3 CuCl, Br混晶のルミネセンスに見られる励起子の挙動
• 3a-S4-3 CT錯体結晶における強誘電性ドメイン壁の運動と誘電異常
• 3p-P-10 TTF-クロラニルの圧力誘起NI転移:赤外振動分光
• 11p-P-3 電荷移動錯体混晶の中性-イオン性相転移
• 3a-NGH-24 ポリジアセチレンTCDU結晶の準一次元Wannier励起子
• 27a-ZD-7 光誘起相転移におけるフォトキャリヤの役割
• 28a-G-9 ポリジアセチレン単結晶の光スイッチング
• 30a-H-9 ポリジアセチレン単結晶中での光誘起相転移のダイナミクス
• 25a-W-2 ポリジアセチレン単結晶の可逆光誘起相転移
• 27a-J-6 C_fcc単結晶の光物性
• 29p-F-4 C_薄膜の光吸収と電場効果
• 29p-C-1 C_およびC_フラーレン単結晶の電子励起状態
• 5p-J-4 表面励起子ポラリトン:ZnO
• 2a GC-14 (SN)_x, (SNBr_y)_xの近赤外から紫外スペクトル
• 6a-AE-5 (SN)_x蒸着膜の性質
• 31p-CK-13 (SN)_x 結晶の光学的性質
• 10a-S-2 (SN)_x単結晶の温度変調反射スペクトル
• 3a-G-6 Polydiacetylene励起子の温度変調分光[II]
• 30p-Q-8 polydiacetylene励起子の温度変調分光
• 30p-Q-7 polydiacetyleneのπ電子バンドと励起子
• 30p-Q-6 準一元物質のSDR分光
• 30p-Q-4 延伸(CH)_xの光学的性質
• 30a-Q-6-1 (CH)_xのXPSおよびUV吸収スペクトル
• 30p-M-4 磁性半導体EuX混晶系の磁気的・光学的性貭
• 伝導性高分子結晶(SN)xの分光測定
• 2p-N-3 polydiacetylene PTS の SOR 分光 : 異方性と高分子化の影響
• 2p-N-2 一次元半導体 (CH)_x の光学的性質 II
• 2a-N-9 (SN)_x,(SNBr_a4)_x 単結晶の SOR 分光
• 4p-Z-7 Eu_xSr_S 単結晶の反射スペクトル
• 2p GC-5 一次元半導体 (CH)_xの光学的性質
• 2p GC-2 エネルギーバンド構造における問題点
• 3p GB-5 EuS-EuSe混晶系の磁気整列とルミネッセンス
• 3p GB-4 (Eu, Sr)Sのルミネッセンス III
• 5p-AE-7 アンスラセン結晶のバイブロニック励起子スペクトル
• 27a-J-10 ポリジアセチレン溶液の相転移と赤外スペクトル
• 真空紫外分光技術 (シンクロトロン放射光による分光技術(技術ノ-ト))
• 6a-S4-12 水素結合系電荷移動錯体の相転移
• 30a-M-11 アントラセン : PMDA結晶の発光スペクトル
• 5a-DR-17 EuS・EuSe混晶系のルミネッセンス
• 9p-Q-5 ユーロピウムカルコゲン化合物における磁気励起子
• 3a-KH-3 二酸化テルルの光学的性質
• 7p-G-4 磁性半導体CdCv_2X_4の変調分光
• 7p-J-4 磁性半導体CdCv_2X_4の温度変調反射スペクトルと磁気円偏光二色性
• 3a-P-5 ポリジアセチレン主鎖電子構造の相転移(A-B転移)II.水素結合系
• 3a-P-4 ポリジアセチレン主鎖電子構造の相転移(A-B転移)I.長鎖アルキル基系
• 2a-KB-13 分子結晶のSOR領域における励起緩和過程
• 13a-S-6 有機分子結晶の電荷移動型励起子;電場変調分光
• 25a-W-3 ポリジアセチレンにおける一次元ワニヤ励起子準位
• 1a-BH-1 アンスラセン (C_14H_10,C_14D_10) 混昌系の光学的性質
• 5a-DR-16 (Eu,Sr)S混晶系のルミネッセンス II
• 1p-BG-2 (Eu,Sr)S混昌系のルミネッセンス
• 7a-G-2 磁性半導体の励起子と磁気相転移
• 7a-G-2 磁性半導体の励起子と磁気相転移
• 7p-J-5 EuSe磁性半導体における励起子の挙動
• Euカルコゲナイド磁性半導体の変調分光
• 磁性半導体のワニヤ励起子 : 変調分光法の効用
• 5a-Q-6 ユーロピウムカルコゲナイドの変調分光;磁場変調
• 12p-Z-2 Euカルコゲン磁性半導体の温度変調反射スペクトル(II):ワニア励起子の挙動
• 12p-Z-1 Euカルコゲン磁性半導体の温度変調反射スペクトル(I):一般的特徴
• 5p-KD-2 磁性半導体の温度変調反射スペクトル(EuX;X=O,S,Se)(II)
• 5p-KD-1 磁性半導体の温度変調反射スペクトル(EuX;X=O,S,Se)(I)
• 23a-M-16 温度変調法による磁性化合物の光学スペクトルの測定 : EuX;X=O,S,Seの例
• 5p-NE-3 TCNQ°およびシアニン色素結晶の励起子スペクトル
• 3a-G-7 (CH)_xのSOR分光
• 6a-B-11 CuCl中のiselectronic不純物による発光
• 31a-S-5 ポリジアセチレンPTS結晶の光学的性質
• 4p-Z-21 ナフタリン同位体混晶バイブロニック励起子の動力学的性質
• 2p GB-1 アンスラセン同位体混晶の励起子共鳴ラマン散乱
• 3p-DR-1 アンスラセン混晶C_H_-C_D_の発光スペクトル〜クラスター効果〜
• 1p-EA-4 ポリジアセチレンLB膜の光物性(1p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 1p-EA-3 ポリジアセチレンの結合交替構造転移(A-B転移)と光誘導吸収(1p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 31a-P-9 電荷移動錯体電子-格子系の光誘起効果(31aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(白金錯体他))
• 1a-E1-1 ポリジアセチレン薄膜の光物性(1a E1 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
• 1a-E1-4 新しい含フッ素系ポリジアセチレンの光物性(1a E1 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
• 1a-E1-6 ハロゲン架橋白金属錯体の励起子状態(1a E1 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク