半導体中の点欠陥の微視的構造と電子準位--理論からのアプロ-チ

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 応用物理学会の論文

著者

• 押山 淳

  日伝基礎研

関連論文

• 26a-G-5 圧力下GaAs中Si不純物周囲の格子歪み:DXセンタ?
• A Foreign Perspective on Research in Japan
• 31a-Z-11 DXセンターの微視的起源 : 局在共鳴状態の役割
• 1p-TE-2 シリコンの点欠陥の理論
• 3p-W-4 現象の理解・発見と物質設計 : 半導体
• 半導体中の点欠陥の微視的構造と電子準位--理論からのアプロ-チ
• 27p-QB-12 第一原理からの擬ポテンシャル法による半導体の全エネルギー計算
• Si中の点欠陥と原子拡散の理論

スポンサーリンク