26a-G-5 圧力下GaAs中Si不純物周囲の格子歪み:DXセンタ?
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1987-09-16
著者
関連論文
- 1p-F-4 DXセンター:深い準位と浅い準位の交叉
- 26a-G-5 圧力下GaAs中Si不純物周囲の格子歪み:DXセンタ?
- 26a-G-6 ZnS中Cr不純物のスピン偏極した電子構造
- A Foreign Perspective on Research in Japan
- 31a-Z-11 DXセンターの微視的起源 : 局在共鳴状態の役割
- 1p-TE-2 シリコンの点欠陥の理論
- 3p-W-4 現象の理解・発見と物質設計 : 半導体
- 半導体中の点欠陥の微視的構造と電子準位--理論からのアプロ-チ
- 27p-QB-12 第一原理からの擬ポテンシャル法による半導体の全エネルギー計算
- Si中の点欠陥と原子拡散の理論