26a-E-6 Pチャンネルにおけるバンド間トンネル電流誘起ホットエレクトロン注入を用いたフラッシュメモリの新電子注入方式

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概要

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• 1996-03-26

著者

• 佐藤 真一

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 大中道 崇浩

  三菱電機(株)

• 高田 裕

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 林 清志

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 須賀原 和之

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 小野田 宏

  ULSI開発研究所

• 榊原 清彦

  ULSI開発研究所

• 坂本 治

  ULSI開発研究所

• 山崎 奈保

  ULSI開発研究所

• 辻 直樹

  ULSI開発研究所

• 味香 夏夫

  ULSI開発研究所

• 畑中 正宏

  ULSI開発研究所

• 三好 寛和

  ULSI開発研究所

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