周期加熱サーモリフレクタンス法を用いた半導体デバイス内部におけるマイクロスケール熱抵抗評価技術の開発:界面熱抵抗の異なるAu-Si 2層試料の測定
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概要
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近年，半導体デバイスの小型化・高集積化に伴った発熱密度増加により高度な熱制御技術が不可欠であり，熱的特性の解明が必要とされている．本研究では，デバイスの微小な放熱経路であるフリップチップ接続部の熱抵抗・劣化度の評価を目的とし，周期加熱サーモリフレクタンス法を用いたマイクロスケール接合部の界面熱抵抗測定手法および装置の開発を行っている．本報ではAu-Siの2層試料を熱圧着より作製し，界面熱抵抗の異なる試料の測定を行うことで2オーダーの違いを捉え，熱抵抗の評価を行ったのでその結果を報告する．
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社団法人 日本伝熱学会 | 論文
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