ウェーハレベル三次元集積化技術の開発
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概要
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三次元SiP(System in Package)の各LSIチップ間をつなぐボンディングワイヤーやメタルリードのみならず、システムLSIの各機能ブロックをつなぐ長い配線（グローバル配線）は、性能向上のボトルネックとして深刻化している。この問題を解決するため、近年、三次元集積化技術が非常に注目されている。三次元集積化技術により、複数のLSIチップを縦方向に積層し、チップを貫通する垂直配線を介して電気的に接続することが可能となる。我々は、ウェーハ同士、あるいはチップとウェーハを張り合わせる手法を用いた三次元集積化技術を提案している。本研究では、ウェーハ-ウェーハ、あるいはチップ-ウェーハ接合による三次元集積化の要素技術（垂直配線形成技術、高精度位置合わせ技術、チップ・ウェーハ薄層化技術）の開発と三次元LSIチップの試作について報告する。
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一般社団法人エレクトロニクス実装学会 | 論文
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