Ｎｉ電極表面におけるＮｉ水酸化物膜の生成
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概要
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アノード電位ステップ応答電流を解析することにより, Ni電極表面の酸化膜の形成機構を検討できることを示した.過渡電流は式i(t)=i0[1+(t/τ)]-1/2で表され, その1/i2 vs. tプロットから各電極電位φにおける時定数τが求まった. この時定数τおよびi02τ vs. φプロットから, 形成酸化膜の厚さと, 膜内イオンの総合移動度が得られた. 各プロットはいずれもよい直線をなし, 本解析法の妥当性を示した.Ni電極表面には, 電極電位φがφc=0.02 V vs. SCEよりアノード側にシフトすると酸化膜が形成されはじめ, その厚さは0.2～0.4 V vs. SCEの範囲において約1.3 nmになることがわかった. また, この膜内イオンの総合移動度はμ=9.9×10-20m2V-1s-1であった.
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公益社団法人 腐食防食学会 | 論文
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