対向拡散CVD法による高温プロピレン透過膜の開発
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概要
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Propyltrimethoxysilane（PrTMOS），Phenyltrimethoxysilane（PhTMOS）， Hexyltrimethoxysilane（HTMOS）を3種のシリカ源とし，対向拡散CVD法にて分子ふるいシリカ複合膜を作製した．HTMOS/O2系にて450 ˚C ，5 minで蒸着した膜は，270 ˚C 透過試験にて，C3H6/C3H8透過率比は414， C3H6透過率1.0×10－8 mol m－2 s－1 Pa－1と非常に高い高温プロピレン選択透過性を示した．高温蒸着のため，高温安定性のあるHTMOSをシリカ源として選択した．蒸着時間の検討では，蒸着時間を90 minから5 minと短くすることでN2/SF6透過率比が12から64と向上した．さらに，蒸着温度の検討では，N2/SF6透過率比が最大の2.2×105を示した450˚Cが最適であることが示された．
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