マグネシウムナフタロシアニン蒸着膜の熱転移による導電率の改善
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概要
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Vapor-deposited MgNc films, prepared by two different processes were investigated for changes in the electric properties resulting from the thermal rearrangement of the molecules. The results obtained were: (1) Resistivities of as-deposited MgNc-a and-b films were 1.23×103 and 5.06×102 ohm·cm, respectively, and these values changed with thermal treatment to 6.76×101 and 3.48×102 ohm·cm, respectively. (2) The activati on energy of carrier formation was almost the same (about 0.30-0.35eV) for all the MgNc films investigated, indicating that all had the same impurity level. (3) The impurity level was induced by adsorbed oxygen, and the formation of O-2 radical was accompanied the formation of hole carriers. Using ESR measurement, the car rier density was calculated to be about 1018cm-3 for MgNc-a films. (4) Mobility increased some 24-fold with crystallization.
- 社団法人 表面技術協会の論文
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