半導体材料用シリコン中の不純物の放射化分析

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概要

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半導体用シリコン中の不純物を分析する実用的な方法を確立するために,分析時間と手数を最小限に留め,なるべく多種類の不純物元素を検出し,かつ定量することを目的として,γ線スペクトロメトリーおよびイオン交換クロマトグラフィーを主体とする放射化分析法を研究した.<BR>不純物元素のうち銅,アンチモン,カドミウム, ヒ素の各γ線光電ピークは0.51〜0.57MeVに集中的にあらわれ,スペクトロメーターで分離することはむずかしいので,試料を放射化後,計数に先立って塩素錯イオンによる陰イオン交換クロマトグラフィーによる分離をおこなった.<BR>放射化にはJRR-1原子炉の中性子を用い,その流束は2×10<SUP>11</SUP><I>n</I>/cm<SUP>2</SUP>・secであった.本法による検出下限はヒ素,銅,アンチモン,カドミウム,亜鉛,ガリウム,ナトリウム,鉄に対して,それぞれ4×10<SUP>-3</SUP>,3×10<SUP>-3</SUP>,1×10<SUP>-3</SUP>,2×10<SUP>-2</SUP>,1×10<SUP>-1</SUP>,3×10<SUP>-3</SUP>,3×10<SUP>-3</SUP>,4μgであった.
社団法人日本分析化学会の論文

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