GaAs半導体レーザを用いた高分解能近赤外分光装置
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概要
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A high-resolution near infrared laser spectrometer has been made by using commercial AlGaAs and InGaAsP semiconductor lasers. The operating temperature of the laser has been varied with the stability of ±0.001°C at the temperature range from -40°C to +30°C for a coarse frequency tuning, and the injection current to the laser has been swept by a sawtooth generator for a fine frequency tuning. By using a source modulation method the optogalvanic spectra of Ne, Ar and Kr have been observed around the wavelength region of 0.84 μm with a resolution of the Doppler width. It should be noted that the optogalvanic spectra corresponding to the electronic transitions of atoms, of which wavelengths have been accurately measured, are useful as the frequency standards.
- 社団法人 日本分光学会の論文
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