広帯域波長可変GaAs半導体レーザによる1.3μm領域におけるアセチレン分子の振動回転スペクトルの解析
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概要
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The vib-rotational spectrum of the 2ν_1+ν_5, ν_1+ν_2+3ν_5 and ν_1+ν_3+2ν_4 combination bands of acetylene were measured using a GaAs semiconductor laser at the wavenumber region from 7400 to 7700 cm^<-1> and thc rotational fine structures of the P-, R- and Q-branches were assigned. The formulation describing the spectral line positions by a third order polynomial of J (J+1) with the effective spcctroscopic parameters of ν^<eff>_0, B^<eff>_v, and H^<eff>_v was obtained using sccond order pertubation theory to take the l-type resonance effect into consideration. The spectroscopic constants and the l-type doubling constants were calculated from the effective rotational parameters determined using a least squares fitting procedure for the e-and f-levels.
- 東京工芸大学の論文
- 1997-01-31
著者
-
鈴木 正夫
東京工芸大 工
-
鈴木 正夫
東京工芸大学工学部システム電子情報学科非常勤
-
大塚 智昭
東京工芸大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
西宮 信夫
東京工芸大学工学部電子情報工学科
-
行谷 時男
東京工芸大学工学部電子情報工学科
-
大塚 智昭
菊水電子工業(株)
-
山下 竜矢
東京工芸大学工学部工学研究科電子工学専攻
-
西宮 信夫
東京工芸大学工学部システム電子情報学科
-
行谷 時男
東京工芸大学大学院工学研究科
-
行谷 時男
東京工芸大
-
西宮 信夫
東京工芸大学工学部
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