光CVDによる炭素膜の低温合成における成膜機構
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概要
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炭素膜を低温で合成する新しい手法を提案し, その成膜機構について調べた.CH<SUB>4</SUB>-Cl<SUB>2</SUB>混合ガスに紫外光を照射して生成させたラジカルにより, 343〜573Kの基板温度で炭素膜を得ることができた.成膜速度は, 気相過程のモデル化により推算したメチルラジカル濃度とクロロメチルラジカル濃度の和に比例し, これらラジカルの付着確率は, 343Kで6×10<SUP>-4</SUP>であった.成膜速度は10〜60nm/h程度であり, 基板温度とともに減少した (負の活性化エネルギー10〜13kJ/mol).この温度依存性を, ラジカルが吸着状態を経て膜に取り込まれることによると考え, 速度式を用いて検討した.
- 社団法人 化学工学会の論文