粒子衝突によって処理した基板上へのダイヤモンド気相合成
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概要
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Si基板表面に比較的大きな粒子を衝突させることによって基板表面の処理を行い, ダイヤモンド合成に対する効果を検討した.ダイヤモンド合成は, マイクロ波プラズマ法によって行った.<BR>はじめに, 通常のガス-固系流動層を用いて流動化している粒子を5mm角のSi基板表面に衝突させることによって前処理を行ったところ, 粒子析出密度が著しく増大した.処理の効果は, 流動化粒子種類, 流動化粒子径, 流動化ガス流速, 基板設置位置によって影響された。また, 流動層による基板表面処理は, ダイヤモンド合成前に行っても合成中に行ってもその効果が顕著に認められた.<BR>次に, 衝突の強さを制御した粒子をSi基板表面に所定の回数, 衝突させることによって基板表面処理を行った.その結果, ダイヤモンドの核発生に適した表面状態を形成するために必要な衝突粒子の運動エネルギー範囲があることがわかった.
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