Ge(100)2×1の構造解析
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概要
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It is well known that Ge (100) surface shows reconstructed structure like Si (100) surface. This surface formed structure which has asymmetric dimers in the topmost layer at low temperature, and the order-disorder phase transition occurs at 200 K, the structure change to structure. For Ge (100) surface X-ray diffraction measurements and the structure analysis are performed by R. Rossmann, et al. However, they use the isotropic Debye-Waller factor.<BR>In actuality, Ge dimers makes flip-flop motion at particular direction. We try to perform the structure analysis of Ge (100) surface using the results of the first-principles calculation and the anisotropic Debye-Waller factor. Obtained results show improvement compared with previous analysis.
- 2003-03-20
著者
-
垣谷 公徳
岡山理科大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
加地 博子
岡山理科大学工学部
-
吉森 昭夫
岡山理科大学
-
吉森 昭夫
岡理大総合情報
-
吉森 昭夫
岡山理科大学総合情報学部コンピュータシミュレーション学科
-
加地 博子
岡山理科大学工学部電子工学科
-
矢城 陽一郎
岡山理科大総情
-
吉森 昭夫
岡山理科大学 工学部
-
矢城 陽一郎
岡山理科大学総合情報学部
-
垣谷 公徳
岡山理科大学
-
加地 博子
岡山理科大学
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