ECR プラズマ CVD 技術

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概要

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• 電子サイクロトロン共鳴 (ECR) を利用したプラズマ生成法は低ガス圧, 高イオン化率, 高活性の特徴を有している.これらの特徴を半導体プロセスに適合するようにして活用すればプラズマプロセスの性能を大幅に向上できると期待される.本稿ではECRプラズマのプラズマCVDへの適用について, 装置構成, イオン制御, Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>, SiO<SUB>2</SUB>膜形成特性, 応用例等を述べ, ECRプラズマプロセスの特徴を論ずる.

• 日本真空協会の論文

著者

• 松尾 誠太郎

  NTT LSI研究所

• 松尾 誠太郎

  NTT LSI 研究所

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