低電圧用ZnOバリスタにおけるZnO異常粒成長

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概要

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• The exaggerated grain growth of ZnO in the low voltage ZnO varistor was investigated. At a temperature exceeds 1000°C in the sintering process, many thin films were formed in the sintered body which contained TiO<SUB>2</SUB> and Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>. The ZnO grain seemed to grow epitaxially with the thin film. XMA and powder X-ray diffraction analysis suggest that the thin films are Bi<SUB>4</SUB>Ti<SUB>3</SUB>O<SUB>12</SUB>. The growth of the thin films depended on the amount of Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>additive. Then the exaggerated grain growth of ZnO was under the control of small amount of Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>additive.

• 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文

著者

• 沖中 秀行

  松下電子部品(株)開発技術センター

• 沖中 秀行

  松下電器産業(株)無線研究所

• 伊賀 篤志

  松下電器産業(株)材料部品研究所

• 伊藤 昌宏

  松下電器産業(株)材料部品研究所

• 沖中 秀行

  松下電器産業(株)材料部品研究所

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