磁気バブル結晶

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• The feature of magnetic bubble memory devices is nonvolatile and all solid-state. They are now used widely for NC machines, PUS terminals etc., because of their high-reliability and maintenance. free. Materials used for these devices are garnet single crystals. Recent research on high storage density devices is concentrated on ion-implanted bubble devices. These devices are based on the effect of magnetostriction that anisotropy field changes due to the internal stress in the ion-implanted layer of bubble garnets. This paper describes crystal structure and magnetic properties of bubble garnet films. Ion implantation effects in bubble garnets are also reported as a key-technology for ion-implanted bubble devices. [J. Cryst. Soc. Jpn. <B>28</B>, <I>172</I> (1986) ] .

• 日本結晶学会の論文

著者

• 井村 亮

  日立中研

• 井村 亮

  日立製作所基礎研究所

• 井村 亮

  日立製作所・中央研究所

関連論文

• PB10 高周波SAWデバイス用微細加工技術の検討(ポスターセッションB)
• 6a-C4-12 ^1H(^N,αγ)^C反応による磁気バブルガーネット膜中の水素の高精度深さプロファイリング
• 2a-PS-2 Ni-Fe薄膜のイオン打込み効果(II)
• 2a-PS-1 Ni-Fe薄膜のイオン打込み効果(I)
• 1p-E-8 磁性ガーネットへのイオン打込み(H^+_2,He^+,Ne^+)とその物性
• 近接場光学顕微鏡による微小相変化マーク形成
• 近接場光学顕微鏡による微小相変化マーク形成
• 磁気バブル結晶

スポンサーリンク