SIMSによる化合物半導体超格子の界面急峻性の評価

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• In-depth profiling with secondary ion mass spectrometry has bean used to measure the interface width of OMVPE and LPE InGaAsP/InP, and MBE GaAlAs/GaAs superlattice heterojunctions.The interface width of InGaAsP/InP heterojunction grown by OMVPE are determined to be ≤16 Å with 1.5 keV Cs+ primary ions. The measured interface width of LPE InGaAsP/InP was found to be ~66 Å at the depth of 260 Å.GaAlAs/GaAs surface are not uniform due to cone formation when sutter etched by 1.5 keV Cs+ ions, 1.5 keV O2+ ions and 1.5 keV Cs+ ions with oxygen ambient.Knock-on effect, preferential sputtering and ion induced surface microtopography are discussed with respect to thier influence on depth resolution.

• 日本質量分析学会の論文

著者

• 塚本 和芳

  (株)松下テクノリサ-チ主任技師

• 吉岡 芳明

  (株)松下テクノリサ-チ主担当

• 吉岡 芳明

  （株）松下テクノリサーチ

• 塚本 和芳

  （株）松下テクノリサーチ

関連論文

• 27p-PS-34 Ba_2YCu_3O_y単結晶における酸素拡散の直接観察
• 26p-PSA-41 YBa_2Cu_3O_y単結晶中の酸素のトレーサー拡散係数
• 31a-PS-43 YBa_2Cu_3O_単結晶中の酸素拡散(III)
• SIMSによる化合物半導体超格子の界面急峻性の評価
• SIMSの電子材料への応用
• 二次イオン質量分析法による微量・微小部分析
• 電子材料の分析

スポンサーリンク