水素終端Si(111)面からの紫外光照射による水素脱離の光第二高調波顕微像観察
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概要
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We have observed SH intensity images of the hydrogen terminated Si(111) surface partly irradiated by UV light (ћω=3.5eV) in ultra-high vacuum using a SH microscope. The SH signal intensity of the surface covered with hydrogen was weak. Hydrogen desorption due to the UV light irradiation caused the enhancement of SH intensity. The observed SH intensity images of the H-Si(111) surface represent the spatial distribution of the surface electronic states created by the hydrogen deficiency. We have also investigated dependence on the UV light power of the hydrogen desorption from H-Si(111) surface using the SH microscope. These experimental results suggest that the observed hydrogen desorption results from the laser induced thermal desorption (LITD).
- 日本真空協会の論文
著者
-
水谷 五郎
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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佐野 陽之
石川高専
-
佐野 陽之
北陸先端科学技術大学院大学計算科学ワーキンンググループ
-
宮内 良広
北陸先端科技大マテリアル
-
宮内 良広
マテリアル:jst-crest
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