Theoretical model for artificial structure modulation of HfO2/SiOx/Si interface by deposition of a dopant material
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Realization of an abrupt HfO2/Si interface without unintentional oxidation of the silicon substrate is a crucial task for the development of modern field-effect transistors. Here, we present a theoretical model which suggests that deposition of a dopant material on the HfO2 layer turns it into an oxygen absorber, suppressing the formation of SiOx at the interface. Tantalum is predicted as an effective dopant in HfO2 for this purpose.
論文 | ランダム
- C-7 余震活動で周辺地域の地震活動を予測する(日本統計学会第67回大会記録 : 離散データの解析(1))
- ETASモデルによる余震減衰係数p値の時間変化
- 余震活動の推移と周辺における大地震の発生確率
- 1999年コジャエリ地震震源域における余震観測
- 1995年兵庫県南部地震の滑べり量分布および余震発生原因の断層形状にもとづく解釈