特集2 : 研究解説 : プロトン交換ニオブ酸リチウム光導波路およびイオン交換KTP光導波路の光損傷耐性
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概要
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小特集 光デバイス・光工学コヒーレントな短波長を得るためのSHG素子の有望な材料であるニオブ酸リチウムのプロトン交換光導波路，およびKTP結晶のRbイオン交換光導波路の光損傷感度を定量的に測定した．プロトン交換導波路は，アニール無しの場合，Ti拡散導波路よりも約10^4倍光損傷に強いが，アニールにより光損傷に対する耐性は減少する．KTP光導波路は350℃で数時間アニールしたプロトン交換導波路とほぼ同程度の光損傷耐性を持つ．
- 2011-10-06
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