KTP結晶上に形成したイオン交換平面光導波路のフォトリフラクティブ特性
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概要
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最近、第二高調波発生(SHG)素子の作製技術は、めざましい発展をとげており、高効率の素子が次々と開発されている。中でも、ドメイン反転による周期構造を利用したSHG素子の発達がめざましく、Rbイオン交換法による周期構造を利用したSHG素子で変換効率800%のものが報告されている。SHGの変換効率は、フォトリフラクティブ効果(光損傷)によって制限される。そこで、我々はRbイオン交換平面光導波路をKTP結晶上に形成し、そのフォトリフラクティブ効果の定量的測定を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
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