トランジスタhパラメータ測定回路のS/N比改善

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概要

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平成22年度から電気電子システム工学科では，実践的な工学教育およびJABEEが重視しているデザインエンジニアリングの充実のため，実験実習内容の改革を行っている．その中で“トランジスタのhパラメータ測定”は，トランジスタおよび電子回路を理解する上で基本的な実験である．しかし，近年トランジスタの性能向上が著しく，学生実験で使用する測定機器の性能では，測定精度の高い実験が大変難しい．シリコントランジスタおよびゲルマニウムトランジスタのhパラメータを，これまで用いていたhパラメータ測定回路を改良した回路で測定し，S/N比5［dB］以上の改善を実現した．この修正トランジスタhパラメータ測定回路の本校電気電子システム工学実験Ⅱへの適用について報告する．

著者

高橋恭一
長岡工業高等専門学校総務課技術室

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