液体不純物源を用いた場合のシリコン中への二三の不純物元素の拡散
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- MOCVD法によるRuO2およびIrO2薄膜の強誘電体下部電極としての特性
- MOCVD法により生成したTa2O5-Al2O3混合膜の性質
- CVDおよびスパッタリング法による酸化タンタル薄膜の性質
- ZnSeのLPE層の電気的特性
- MOCVD法により生成したTa2O5薄膜の電気伝導
- Ta2O5およびAl2O3薄膜のエリプソメトリー
- MOCVD法によるPLZT超薄膜の作製とDRAMキャパシターとしての基礎特性
- イオン選択性電極を用いた改良標準添加法
- ハロゲン化物イオン選択性電極電位におよぼすpHの影響
- イオン選択性電極の選択係数の決定
- RuO2およびIrO2薄膜の強誘電体下部電極としての特性
- MOCVD法によるPLZT強誘電体超薄膜の形成とその電気的特性
- MOCVD法による強誘電体薄膜の合成 - 256メガビットの次世代メモリーへの応用 -
- MOCVD法によるBi4Ti3O12強誘電体薄膜の合成とその電気的性質 (無機材料の合成を支える技術とその評価) -- (薄膜作成)
- 固体膜をもつイオン感応性電界効果トランジスタ
- イオン感応性電界効果トランジスタの試作とその電位特性
- シリコンの陽極酸化
- シリコンP+NN+合金接合の形成
- リン,ホウ素およびヒ素に対するSiO2膜の拡散マスク効果
- 液体不純物源を用いた場合のシリコン中への二三の不純物元素の拡散
- Ta2O5およびAl2O3薄膜のエリプソメトリ-
- 固体膜をもつイオン感応性電界効果トランジスタ
- イオン感応性電界効果トランジスタの試作とその電位特性
- シリコンの陽極酸化