セリアスラリーによる酸化膜の平坦化CMPに関する基礎的検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
In this study, ceria slurries (CeOz) for oxide fIlms are applied for planarization CMP for high performance and high-grade polishing. The investigation on ceria slurry focused on calcination temperature was carried out. Polishing characteristics of oxide mms to disperse ceria particles, which is necessary to make ceria slurry work efficiently, were found. The results indicate that the dispersibility and the removal rate of ceria slurry are affected by pH and the additive rate, and in particular, the removal rate is on the decrease especially by adding the additives.
- 埼玉大学地域共同研究センターの論文
埼玉大学地域共同研究センター | 論文
- ビデオ及びモーションデータを用いた舞踊のデジタルコンテンツ
- イットリウム二水素化物におけるキャリヤ補償状態と磁気電気輸送
- RF-MBE法を用いた六方晶および立方晶InNのエピタキシャル成長
- 分光偏光解析等によるSiC酸化膜の評価
- 分光偏光解析等によるSiC酸化膜の評価