C-6-9 非単結晶基板上へのIII族窒化物半導体薄膜の結晶成長および諸特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2014-03-04
著者
-
佐藤 祐一
秋田大学大学院工学資源学研究科
-
松永 竜弥
秋田大学大学院工学資源学研究科
-
村木 佑平
秋田大学大学院工学資源学研究科
-
石崎 翔太
秋田大学大学院工学資源学研究科
-
村上 佳詞
秋田大学大学院工学資源学研究科
-
青島 忠彦
秋田大学大学院工学資源学研究科
関連論文
- 有限要素シミュレーションによる不均質半導体のvan der Pauw測定における異常値の発現と緩和に関する検討(電子材料)
- 半導体の van der Pauw 測定における不均質領域の影響の有限要素法によるシミュレーション
- C-6-4 下地導電層を有するサファイア基板へのCdS薄膜の作製(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-1 不均質な半導体のvan der Pauw測定における測定値変動の予測とその抑制に関する試み(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-3 サファイア基板上Al薄膜の固相エピタキシャル成長(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-1 各種導電層を有するサファイア基板へのCdTe薄膜の作製(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 11)紫外発光ダイオード励起による多色蛍光液晶ディスプレイ(〔情報センシング研究会 情報ディスプレイ研究会〕合同)(画像変換技術)
- C-6-5 In_2O_3下地層を有するサファイア基板へのIII族窒化物薄膜の成長(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-9 In_2O_3下地層を有するサファイア基板へのIII族窒化物薄膜の成長(2)(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-8 InN薄膜のMBE成長における成長温度高温化と成長速度高速化(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-9 太陽電池吸収層用InGaN薄膜の成長と諸特性(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-10 In_2O_3下地層を有するサファイア基板へのIII族窒化物薄膜の成長(3)(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 GaNおよびAIGaN系透明導電膜の開発(C-6.電子部品・材料)
- C-6-7 III族窒化物薄膜太陽電池における光吸収層の導電性制御(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-9 非単結晶基板上へのIII族窒化物半導体薄膜の結晶成長および諸特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-8 III族窒化物薄膜太陽電池用In_2O_3系下地透明導電層の作製と諸特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)