C-008 NAND FMにおけるデータ保持能力の短期推定手法(C分野:ハードウェア・アーキテクチャ,一般論文)

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概要

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• NAND Flash Memory(以下FM)のデータ保持能力は,メモリセルの書き換え回数と書き換え間隔に依存して低下する.このため,データ保持能力の調査は,実利用条件の書き換え間隔を模擬する必要があり,この劣化試験は年単位の期間が必要となる.しかし,FMを早期に製品適用するには,FM劣化後のデータ保持能力に基づいて必要な訂正回路の規模やデータ保護制御を定め,短期間で劣化の影響を定量化する必要がある.本研究は,(1)書き換え間隔,(2)データ保持期間,(3)品質ばらつき,の条件から障害bit率を予測するモデルを述べる.このモデルにより,短期実験の結果より実利用条件下でのFMのデータ損失確率が推定可能となる.

• FIT(電子情報通信学会・情報処理学会)運営委員会の論文
• 2013-08-20

著者

• 鈴木 彬史

  (株)日立製作所横浜研究所ストレージシステム研究部

• 小川 純司

  (株)日立製作所

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