3. アモルファスInGaZnO_4薄膜トランジスタのトップゲート効果解析(<小特集>酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望)
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概要
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ボトムゲート電極とトップゲート電極を有するデュアルゲート構造TFTにおいて,ボトムゲート特性のトップゲート電圧依存性(トップゲート効果)は,TFT上部に発生する予期せぬ電荷(LCDの場合,液晶/配向膜界面での電気二重層)に対する特性安定性の目安にもなり,その解析は実用面・TFTデバイス物理理解の両面で重要である.デュアルゲート構造を有するアモルファスInGaZnO_4 (a-InGaZnO) TFTを作製し,そのトップゲート効果を解析した.従来のアモルファスシリコンTFTと比較しながら,a-InGaZnO TFTならではの特徴的な振舞いについて考察する.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2014-03-01
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