31p-TH-4 高分解能電子顕微鏡を用いた半導体ヘテロ界面の観察法(31pTH X線・粒子線)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1989-03-28

著者

• 石田 宏一

  Necシリコンシステム研究所

• 酒井 朗

  日電・基研

• 五十嵐 信行

  日電・基研

• 馬場 寿夫

  日電・基研

• 石田 宏一

  日電・基研

関連論文

• 微細コンタクトホール底Si表面自然酸化膜の制御
• 31a-WC-10 Si/Ge界面2x1秩序構造のHREM, GID観察
• VI. 半導体人工格子, 量子ドット 半導体へテロエピタキシャル界面構造の原子スケール観察
• 半導体人工格子,量子ドット (ミニ特集 電子顕微鏡による材料研究の最前線(第2回)半導体・セラミックス機能材料の格子欠陥とミクロ構造の観察)
• 29a-ZB-7 Si/Ge界面の高分解能電子顕微鏡観察
• 27a-S-6 AlAs/GaAs界面のステップ構造の高分解能電子顕微鏡観察
• 31p-TH-4 高分解能電子顕微鏡を用いた半導体ヘテロ界面の観察法(31pTH X線・粒子線)

スポンサーリンク