29p-P-2 電荷移動錯体LB膜のESR(VIII) : TMTTF系(29pP 分子性結晶・液晶・有機半導体(LB膜・液晶))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1989-03-28
著者
関連論文
- 22aZK-2 長鎖アルキルアンモニウム-Au(dmit)_2LB膜の構造制御
- 31p-XB-6 偏光FT-IRによる長鎖アルキルDCNQI-Cu錯体LB膜の分子配向評価
- 26p-N-1 DCNQI錯体LB膜の作成III
- 30a-YP-11 DCNQI錯体LB膜の作成II
- 6p-C-8 DCNQI錯体LB膜の作成
- 27a-K-8 光照射によるAPT(m-n)LB膜のESRの変化
- 3p-S-14 BO錯体LB膜のESRII
- 28a-YK-7 C_ LB膜のESR
- 12p-B-14 BO錯体LB膜のESR
- 12p-B-12 APT(8-12)のLB膜のESRの光照射による変化II
- 30a-C-7 APT(8-12)のLB膜のESRの光照射による変化
- 28a-K-2 長鎖ピリジウム(TCNQ)_2錯体LB膜の磁性と構造II
- 28a-M-11 長鎖ピリジニウム(TCNQ)_2錯体LB膜の磁性と構造
- 29p-ZF-13 電荷移動錯体LB膜のESR(XV) : (TMTTF)_3(C_TCNQ)_2膜の分子配向
- 28a-ZF-5 同位体置換メロシアニン色素LB膜のESR(II) : メチン鎖における^C置換の効果
- 25a-Z-5 電荷移動錯体LB膜のESR(XIV) : 長鎖Py(TCNQ)_2膜の分子配向
- 25a-Z-4 同位体置換メロシアニン色素LB膜のESR
- 5a-K-13 電荷移動錯体LB膜のESR(XIII)
- 表面プラズモン励起による光電変換素子の光電流増大
- 27a-P-10 有機物質のSTM測定(1)
- 5a-K-12 電荷移動錯体LB膜のESR(X II)
- 5a-K-11 メロシアニン色素LB膜のESR(X VI)
- 31a-G-8 電荷移動錯体LB膜のESR (XI)
- 31a-G-6 メロシアニン色素LB膜のESR (XV)
- 31a-G-5 メロシアニン色素LB膜のESR (XIV)
- 6a-L-9 メロシアニンLB膜のESR(XIII)
- 6a-L-8 電荷移動錯体LB膜のESR(IX)
- 4p-S4-3 電荷移動錯体LB膜のESR(VII)
- 4p-S4-2 メロシアニン色素LB膜のESR(X1)
- 26a-J-12 電荷移動錯体LB膜のESR(V) : TMTTFを含む系
- 26a-J-11 電荷移動錯体LB膜のESR(IV) : C_Py(TCNQ)_2
- 26a-J-9 メロシアニン色素LB膜のESR(IX)
- 26a-J-8 メロシアニン色素LB膜のESR(VIII)
- 29a-QA-3 電荷移動錯体LB膜のESR
- 29a-QA-2 メロシアニン色素LB膜のESR (VI)
- 30a-A-14 ポリゲルマンの電子構造;ポリシランとの比較
- 25p-X-2 Geポリマー(ポリゲルマン)の一次元励起子状態
- 25p-X-1 ポリシランの二光子吸収とその主鎖構造依存性
- 28p-D-9 ポリパラフェニレンビニレン誘導体の光誘起 ESR-II
- ドープしたポリパラフェニレンビニレンの光誘起ESR
- ポリパラフェニレンビニレン誘導体の光誘起ESR
- 3p-C-3 ポリパラフェニレンビニレンの光誘起ポーラロン
- 2a-YB-4 LB法による分子組織体の構築
- 30a-M-7 半導体 / Langmuir-Blogett膜MIS構造の量子ホール効果
- ラングミュア累積膜の導電性
- クロロフィル等の色素累積膜の物性
- 27a-K-7 銅ポリフィリン複核錯体LB膜のESR
- 有機薄膜--現状と展望 (超薄膜)
- LB膜とエレクトロニクス
- 累積膜の電子的機能
- 累積膜作成法 (有機物薄膜の作成法(技術ノ-ト))
- 26a-ZG-14 高分子半導体ポリシランでの量子細線効果 : 1次元励起子とその光物性
- LB膜によるNaClのクリスタルエンジニアリング
- 28a-Y-13 ポリシランのχ^スペクトル.II
- 28a-Y-12 ポリシランのχ^スペクトル.I
- 5p-X-8 Siポリマーの1次元励起子
- 2K112 強誘電性液晶の表面構造の走査型トンネル顕微鏡(STM)による観察
- 27a-ZD-8 シリコン系ポリマーの主鎖構造と非線形光学応答
- 29p-G-12 ポリシランのX^スペクトル.III
- 有機薄膜の複素屈折率と光吸収
- 27a-J-4 ポリパラフェニレンビニレンにおける光誘起ESRの波長依存性
- 28a-WB-2 配向ポリフェニレンビニレンのENDOR
- 28a-WB-1 ポリパラフェニレンビニレンの光誘起ESR(III)
- 5a-S-10 ポリパラフェニンレンビニレンの光誘起ESR(II)
- 540. リポ多糖による超薄膜の調製とセンサーへの応用
- 29a-YK-4 ポリパラフェニンレンビニレンの光誘起ESR
- 12p-B-4 ポリパラフェニンレンビニレンのENDOR(II)
- 1p-B-7 ポリ-p-フェニンレンビニレンのENDOR
- 31p-C-3 メロシアニン混合色素LB膜におけるJ会合体の形成
- LB膜研究の最近の動向
- 30p-G-2 高配向ポリアセチレンのESR, ENDOR
- 12a-Q-3 臭素をドープしたポリアセチレンのESR
- 2p-J-5 ヨウ素をドープした(CH)_xのESR II
- 14a-Q-6 メロシアニン色素ラングミュア膜のESR(II)
- ラングミュア膜(2次元材料) (材料の構造制御と機能制御--材料開発の新しい視点をもとめて) -- (シリ-ズ1--材料の次元(巨視的状態)と機能)
- 9. 各種材料の層状成長 : 9.3 LB膜
- LB膜とエレクトロニクス
- 1p-P-3 メロシアニン色素LB膜のESR(IV)
- 1a-C-4 メロシアニン系色素ラングミュア膜のESR
- 31a-G4-8 電荷移動錯体LB膜のESR(VI) : LB膜におけるパイエルス不安定性(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 27a-LB-3 電荷移動錯体LB膜のESR(II)-C_Py(TCNQ)_2(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 27a-LB-4 電荷移動錯体LB膜のESR(III)-TMTTFを含む系(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 31a-G4-7 メロシアニン色素LB膜のESR(X)(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 27a-LB-2 メロシアニン色素LB膜のESR(VII)(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 31p-F4-11 有機物質のSTM測定(II)(表面・界面)
- 30a-JF-1 電荷移動錯体の高圧下における反射スペクトル(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 29p-P-2 電荷移動錯体LB膜のESR(VIII) : TMTTF系(29pP 分子性結晶・液晶・有機半導体(LB膜・液晶))
- 1a-E1-8 メロシアニン色素ラングミュア膜のESR(III)(1a E1 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 30p-EA-2 メロシアニン邑素LB膜のESR(V)(30p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 29p-P-1 メロシアニン色素LB膜のESR(XII)(29pP 分子性結晶・液晶・有機半導体(LB膜・液晶))
- 29p-CM-1 ^CをエンリッチしたポリアセチレンのENDOR(磁気共鳴)
- 29p-EA-3 β-(BEDT-TTF)_2I_3の反射スペクトルの温度依存性(29p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 29p-P-3 電荷移動錯体LB膜のESR(IX) : dmit系(29pP 分子性結晶・液晶・有機半導体(LB膜・液晶))