28a-P-2 離散分布の計算機シミュレーション I(28aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(TMTSF塩など))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1989-03-28
著者
関連論文
- 導電性粉体分散ポリイミドの熱刺激電流による帯電性と熱劣化の検討
- 離散準位の応用へ向けた研究-アントラセン中の不純物準位
- 熱刺激電流測定における新しいノイズ除去法
- 28a-M-9 素量の概念が可能にしたTSCスペクトルの正確な分離と確定 II
- 26a-ZA-2 離脱周波数因子からみたサーマルクリーニング実験結果の解析II
- 26a-ZA-1 傾斜法を用いた熱刺激電流部分曲線の新しい活用
- 4p-K-14 離脱周波数因子からみたサーマルクリーニング実験結果の解析
- 31a-G-11 熱刺激電流の展開
- 31a-G-10 離脱周波数因子の新しい評価法 II
- 3a-M-3 自動分離からわかるアントラセン単結晶の不純物フェナジンの振る舞い
- 3a-M-1 離脱周波数因子の新しい評価法
- 3p-S4-1 分子性結晶に於ける離脱周波数因子の一考察
- 1p-P-9 アントラセン試料中に於ける熱刺激電流の特異現象 II
- 1a-KE-1 アントラセン単結晶中の不純物の作るトラップ準位II
- 14a-Q-1 アントラセン単結晶中の不純物の作るトラップ準位
- 30p-C-10 アントラセン単結晶中の不純物ナフタセンに基づくトラップ凖位
- 2a-NE-14 アントラセン単結晶中のトラップ VI
- 31p-S-2 アントラセン単結晶中のナフタセン
- 31p-S-1 アントラセン単結晶中のトラップ V : 熱刺激発光
- 2p-G-4 アントラセン単結晶中のトラップ IV
- 29a-Q-4 アントラセン単結晶のトラップ III
- 3p GC-4 アントラセン単結晶中のトラップ
- 6a-AE-1 熱刺激電流の数値解析と昇温速度依存性にみる実験結果と計算結果の比較
- 28a-M-10 素量の概念が可能にしたTSCスペクトルの正確な分離と確定III
- 28a-ZF-1 素量の概念が可能にしたTSCスペクトルの正確な分離と確定
- 4p-K-12 ここまできた熱刺激電流評価法の一現状
- 3a-M-2 漸近解法による結晶内部の温度歪の研究
- 熱刺激電流による多孔体ポリプロピレンのトラップ評価と帯電特性
- 2p-N-10 アントラセン単結晶中のトラップ
- 2p-N-9 トラップのエネルギー深さの評価
- 5p-P-6 アントラセンの熱刺激電流における光照射温度依存性
- 31a-G4-10 キャリア発生機構とトラップの励起波長依存性(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 31a-D4-1 アントラセン試料中に於ける熱刺激電流の特異現象(31a D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 28a-P-2 離散分布の計算機シミュレーション I(28aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(TMTSF塩など))
- 30p-EA-3 アントラセン単結晶中の不純物の作るトラップ準位III(30p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)