3p-S4-1 分子性結晶に於ける離脱周波数因子の一考察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1988-09-16
著者
-
前田 成欣
大阪工業大学工学部電気電子システム工学科
-
吉田 福蔵
大阪工業大学短期大学部電気工学科
-
冨田 法行
大阪工業大学
-
前田 成欣
大阪工業大学 電気工学科
-
吉田 福蔵
大阪工業大学
-
前田 成欣
大阪工業大学
関連論文
- 導電性粉体分散ポリイミドの熱刺激電流による帯電性と熱劣化の検討
- 離散準位の応用へ向けた研究-アントラセン中の不純物準位
- 熱刺激電流測定における新しいノイズ除去法
- 不純物添加アントラセン単結晶の部分TSCデータの復元
- 熱刺激電流法によるZnOバリスタのトラップ評価とその解析
- 複合熱刺激電流曲線の自動分離限界にアタックする
- 不純物添加アントラセン単結晶の部分TSCデータの復元
- 離散準位の働き
- 熱刺激電流曲線のためのスムージング法の検討
- 部分TSC曲線を正確に評価する復元の提案 1
- ポリアニリンの熱刺激電流とその解析
- 28a-M-9 素量の概念が可能にしたTSCスペクトルの正確な分離と確定 II
- 26a-ZA-2 離脱周波数因子からみたサーマルクリーニング実験結果の解析II
- 26a-ZA-1 傾斜法を用いた熱刺激電流部分曲線の新しい活用
- 熱刺激電流の部分曲線から離脱周波数因子を直接評価できる漸近解法ν法の提案
- 熱刺激電流の傾斜を利用してキャリヤトラップのエネルギ-深さを評価する傾斜法の提案
- 熱刺激電流曲線に高感度をもつ漸近解法I法の提案と新しい解析への応用
- 4p-K-14 離脱周波数因子からみたサーマルクリーニング実験結果の解析
- 4p-K-13 熱刺激電流の展開II〜自在性の活用〜
- 31a-G-11 熱刺激電流の展開
- 31a-G-10 離脱周波数因子の新しい評価法 II
- 3a-M-3 自動分離からわかるアントラセン単結晶の不純物フェナジンの振る舞い
- 3a-M-1 離脱周波数因子の新しい評価法
- TSC曲線の新しい分離法とトラップの正しい評価--離脱周波数因子の大幅な減少
- 3p-S4-1 分子性結晶に於ける離脱周波数因子の一考察
- 不純物添加アントラセン単結晶におけるレ-ザ励起熱刺激電流
- 1p-P-9 アントラセン試料中に於ける熱刺激電流の特異現象 II
- 3a-YA-2 パーシャルヒーティングに於けるTSCの特異現象
- 1a-KE-1 アントラセン単結晶中の不純物の作るトラップ準位II
- MOS-FETを用いた微小容量変化検出回路
- 熱刺激電流のシミュレ-ションとトラップのエネルギ-深さ評価に対する一考察
- 熱刺激電流からトラップのエネルギ-深さを正しく評価する方法--高温側漸近解法と改良法
- 14a-Q-1 アントラセン単結晶中の不純物の作るトラップ準位
- 30p-C-10 アントラセン単結晶中の不純物ナフタセンに基づくトラップ凖位
- 2a-NE-14 アントラセン単結晶中のトラップ VI
- 31p-S-2 アントラセン単結晶中のナフタセン
- 31p-S-1 アントラセン単結晶中のトラップ V : 熱刺激発光
- 微弱光測定装置と熱刺激発光測定への応用
- 2p-G-4 アントラセン単結晶中のトラップ IV
- 29a-Q-4 アントラセン単結晶のトラップ III
- 3p GC-4 アントラセン単結晶中のトラップ
- 6a-AE-1 熱刺激電流の数値解析と昇温速度依存性にみる実験結果と計算結果の比較
- 28a-M-10 素量の概念が可能にしたTSCスペクトルの正確な分離と確定III
- 28a-ZF-1 素量の概念が可能にしたTSCスペクトルの正確な分離と確定
- あいまいさを除去した熱刺激電流の自動分離法の確立へ向けた一考察
- 4p-K-12 ここまできた熱刺激電流評価法の一現状
- 3a-M-2 漸近解法による結晶内部の温度歪の研究
- 計算機による熱刺激電流実験曲線の自動分離に関する提案
- ルビーレーザの応用(量子エレクトロニクス)
- 熱刺激電流による多孔体ポリプロピレンのトラップ評価と帯電特性
- 2p-N-10 アントラセン単結晶中のトラップ
- 2p-N-9 トラップのエネルギー深さの評価
- 5p-P-6 アントラセンの熱刺激電流における光照射温度依存性
- 31a-G4-10 キャリア発生機構とトラップの励起波長依存性(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 31a-D4-1 アントラセン試料中に於ける熱刺激電流の特異現象(31a D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 28a-P-2 離散分布の計算機シミュレーション I(28aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(TMTSF塩など))
- 30p-EA-3 アントラセン単結晶中の不純物の作るトラップ準位III(30p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)