1a-D2-6 GaAs/AlAs超格子中の二次元励起子の吸収飽和(1a D2 半導体(表面界面・超格子),半導体)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1985-03-31
著者
関連論文
- 3p-Y-8 ピコ秒飛行時間法による励起子ポラリトンの研究
- 4a-DR-8 CuClの励起子分子二光子共鳴二次放出過程のピコ秒分光
- 3p-BG-9 CuClのピコ秒パルスによる励起子分子二光子共鳴励起
- 11p-Q-5 ピコ秒パルスレーザー励起によるGaAsの発光(I)
- 1p-RG-1 レーザにおける光注入誘起動的不安定性と光カオス
- 13a-E-8 a-Si_xC_:H(x〜0.2)の偏光記憶度相関
- 1a-KG-10 GaAs/AlAs超格子中の二次元励起子系のピコ秒分光(II)
- 3p-G-12 a-Si_xC_(X≃0.2)に於ける光励起キャリアーのピコ秒ポピュレーションダイナミックス
- 11a-F-3 ZnSeの共鳴ラマン散乱 : 偏光相関
- 2a-A-19 垂直電場下での多重量子井戸中の励起子のピコ秒分光
- 2a-A-18 混晶量子井戸Al_xGa_As-AlAs中の励起子のピコ秒緩和
- 4a-TC-6 GaAs-AlAs超格子の二次元励起子系のピコ秒分光(III) : 緩和速度のWell厚依存性
- 13p-S-17 弱励起下でのCdSe励起子系のピコ秒分光
- 13p-S-16 GaAs/AlAs超格子中の二次元励起子系のピコ秒分光
- 13p-S-12 時間分解非線型分光法による励起子分子の位相緩和の研究
- 12p-U-5 励起子ポラリトンと励起子分子の位相緩和
- 27p-SB-6 時間分解非縮退四光波混合法に依るCuCl励起ポラリトンの位相緩和の研究
- 3p-G-10 CdSeの高密度電子正孔プラズマの臨界温度の上下における挙動
- 1a-K-13 CdSeの強励起下における時間分解励起子反射スペクトル
- 31a-Pα-15 KI,RbIに於ける1S励起子の自己捕獲過程のピコ秒分光
- ルミネッセンス国際会議
- 4p-NE-2 ピコ秒誘導吸収によるCuCl励起子ポラリトンの緩和過程の研究
- 2p-M-13 CuBrにおける励起子分子発光のピコ秒分光
- 2p-M-3 ピコ秒誘導吸収によるCuCl励起子ポラリトンのダイナミックスの研究
- 2p-K-15 CuCl, CuBrの励起子分子二光子共鳴コヒーレントラマン散乱
- 2p-K-13 ピコ秒飛行時間法によるZnSeの励起子ポラリトンの研究
- 2a-Z-6 CuBr における励起子ポラリトンの分散
- 29p-B-3 CuClの励起子分子の二光子共鳴コヒーレントラマン散乱
- 2a-Z-5 CuCl 励起子分子二光子共鳴二次放出過程
- 1a-D2-6 GaAs/AlAs超格子中の二次元励起子の吸収飽和(1a D2 半導体(表面界面・超格子),半導体)
- 29p-BH-3 半導体超格子中の光生成担体のトンネル過程のダイナミクス(29p BH イオン結晶・光物性(超格子,ピコ秒分光,励起子))