30A-22 Zener emissionによる負性抵抗を持つ薄いGe pn接合の研究 : (III) 雜音(半導体)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1958-03-27

著者

• 江崎 玲於奈

  ソニー

• 矢島 達夫

  Nhk技研

• 黒瀬 百合子

  東通工

• 黒瀬 百合子

  ソニー

関連論文

• 10a-M-3 シリコン中の不純物および転位
• Zener Emissionによる負性抵抗を持つ薄いp-n接合の研究 : XX. 半導体
• 19F-23 Ge P-N Junction のInternal Field Emission
• 19F-18 放電處理をしたGe表面の性質と雜音
• 10A17 Ge表面の電氣的性質と雑音
• 半導体雑音のphotoeffect : 半導体(実験)
• 30A-22 Zener emissionによる負性抵抗を持つ薄いGe pn接合の研究 : (III) 雜音(半導体)
• 30A-21 Zener Emissionによる負性抵抗を持つ薄いGe p-n接合の研究 : II 不純物濃度と負性抵抗(半導体)

スポンサーリンク