30A-21 Zener Emissionによる負性抵抗を持つ薄いGe p-n接合の研究 : II 不純物濃度と負性抵抗(半導体)

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1958-03-27

著者

• 江崎 玲於奈

  ソニー

• 黒瀬 百合子

  東通工

• 黒瀬 百合子

  ソニー

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