微細構造の実効誘電率計算のための静電界解析(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
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概要
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著者らは、CMOSチップで必須となるダミーメタルの影響評価を行い、等価媒質定数を求める手法を提案してきた。等価媒質定数の抽出手法として過去に次の2つの手法(1)1周期構造を考え、伝搬固有モードを電磁界解析して、伝搬定数と特性インピーダンスから抽出する方法、(2)1周期構造を考え、キャパシタモデル、インダクタモデルの電磁界解析よりキャパシタンスとインダクタンスから等価媒質定数を抽出する方法を提案している。本稿ではこれらの結果のさらなる検証のために、波長に比して微細な構造の実効誘電率を計算する。解析手法としては1周期の構造について静電界解析(ラプラスの方程式)を解き、キャパシタンスを計算する手法について検討した。実効誘電率は過去に提案した手法で計算した値とよく一致した。
- 2013-07-11
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