24aXR-1 高水素圧処理をしたCr中の水素の存在状態:水素誘起空孔について(24aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-03-01

著者

• 深井 有

  中央大理工

• 水谷 将樹

  中央大理工

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