低熱伝導のナノ結晶材料を用いた低電力相変化デバイス(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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概要

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• 高い電気抵抗率と低い熱伝導率を有するナノ結晶相変化材料を開発し、リセット動作電流がGe_2Sb_2Te_5に比べて68%低減できる事を実証した。繰り返し書換え耐性は10^7回以上であり、結晶化温度が215℃にまで向上することを確認した。本研究の新規ナノ結晶相変化材料は、相変化デバイスの低電力化・大容量化を実現する有望な材料である。

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-04-04

著者

• 高浦 則克

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 北村 匡史

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 大柳 孝純

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 森川 貴博

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 秋田 憲一

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 木下 勝治

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 田井 光春

  超低電圧デバイス技術研究組合

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