相変化デバイスの動向とTIAでの研究活動(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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概要

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• 相変化デバイスの動向とつくばイノべーションアリーナ(TIA)における研究活動を報告する.主な内容は,低電力動作を実現するための材料研究及び,高集積かつ高データ転送速度を実現するためのメモリセル研究の進捗である.相変化デバイスを配線間に埋め込むバックエンドデバイスとしてのTIAでの活動も報告する.

• 2011-04-11

著者

• 高浦 則克

  超低電圧デバイス技術研究組合

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