26aDD-9 デルタドープGaAs(110)対称量子井戸におけるスピン緩和時間の電子密度依存性(半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2013-08-26

著者

• 鈴浦 秀勝

  北大工

• 明楽 浩史

  北大工

• 江上 喜幸

  北大工

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