明楽 浩史 | 北大工
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概要
関連著者
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明楽 浩史
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北大工
著作論文
- 27aXB-4 量子ホール細線の熱流体力学的不安定性II(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-3 量子ホール細線の熱流体力学的不安定性(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aYT-4 ポテンシャル・ステップのある量子ホール系における熱流体力学(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 25aYT-3 量子ホール系の電流分布 : ポテンシャルと電子温度の空間変動の効果(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14aYB-5 量子ホール細線の線形応答領域における電子温度の空間変動(量子ホール効果, 領域 4)
- 14aYB-4 量子ホール系の線形応答領域における電子温度・ポテンシャルの 2 次元空間分布(量子ホール効果, 領域 4)
- 14aYB-3 量子ホール系におけるエッジチャネル近傍の電子温度と電流密度の空間分布(量子ホール効果, 領域 4)
- 29pYG-6 量子ホール系のペルティエ効果と電子温度分布(量子ホール効果)(領域4)
- 29pYG-5 量子ホール系のエッジチャネルと電子温度の空間分布(量子ホール効果)(領域4)
- 25aWR-3 交流における量子ホール効果のホールポテンシャル分布と電流分布(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25aXD-7 交流における量子ホール効果のホールポテンシャル分布(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20aYF-7 量子ホール効果のブレークダウンにおけるランダウ準位間電子移動と緩和時間(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aWH-5 量子ホール系におけるランダウ準位間電子移動と緩和振動(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aTH-5 量子ホール系の熱流体力学によるスピン流とスピン偏極の計算(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTL-3 量子ホール系における電子温度の空間変動と量子振動
- 量子ホール系におけるエネルギー散逸と流体力学方程式(基研研究会「非平衡系の新局面-運動・機能・構造-」,研究会報告)
- 17pYG-2 量子ホール効果のブレークダウンにおける電流分布
- 17pYG-1 量子ホール効果のブレークダウンにおける縦伝導率の微視的過程
- 30aTC-9 量子ホール効果のブレークダウンに対する流体力学方程式
- 25aK-8 量子ドット系のAB振動における複数軌道の効果
- 強磁場中の非対称2層系における電子と正孔の相関
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- 強磁場中の非対称2層系における電子正孔鎖
- 28p-X-13 強磁場中の非対称2層系における電子正孔鎖
- 29a-M-1 高いランダウ準位と電子相関
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- 4a-J-6 束縛電子対とボゾン分数量子ホール効果II
- 4p-J-6 束縛電子対とボゾン分数量子ホール効果II
- 29a-L-11 束縛電子対とボゾン分数量子ホール効果
- 29a-L-11 束縛電子対のボゾン分数量子ホール効果
- 28p-ZC-11 強磁場における超伝導
- 28a-P-10 ランダウ準位と超伝導
- 29p-YF-7 量子ドットにおける電子相関と輸送現象 : 2重障壁メサ型構造
- 29a-T-2 電子相関の強い量子ドット系の輸送現象
- 29a-K-6 二重障壁構造における電子 - フォトン相互作用を介した共鳴トンネル現象
- 22aED-5 2次元電子系の外因性スピンホール効果の熱流体力学とスピン蓄積(22aED スピントロニクス(スピン流・スピン蓄積・スピン波・スピンホール効果),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29a-B-9 ジョセフソン接合系における位相のダイナミクス
- 28p-YF-5 3次元基底ランダウ準位における超伝導と密度波の競合
- 18pFB-9 交流電場を印加した量子ホール系におけるBulk-Edge transport間のクロスオーバー(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aDD-9 デルタドープGaAs(110)対称量子井戸におけるスピン緩和時間の電子密度依存性(半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 9aSA-1 量子ホール効果のブレークダウン領域における遮蔽ポテンシャルと縦伝導率(整数・分数量子ホール効果,領域4)
- 3p-YH-8 微小2重障壁構造の電子状態と帯電エネルギー(3pYH 低温(量子ドット・多体効果),低温)
- 29aXL-8 GaAs(110)対称量子井戸におけるスピン緩和時間の不純物分布依存性(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pXP-3 量子ホール効果のブレークダウンの臨界電流(26pXP 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))