26aDD-8 InGaAsリング構造における面内磁場を用いたスピン干渉効果の異方性の測定(半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2013-08-26

著者

• 新田 淳作

  東北大院工

• 好田 誠

  東北大院工

• 長澤 郁弥

  東北大院工

• Tantiamornpong Sirimon

  東北大院工

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